НЕРУЙНІВНИЙ КОНТРОЛЬ ПОВЕРХНІ ФОСФІДУ ГАЛІЮ
Ключові слова:
фосфід галію, опромінення, радіаційний дефект, атомний силовий мікроскопАнотація
Випромінювальні характеристики фосфіду галію як матеріалу оптоелектроніки значною мірою залежать від стану поверхні. У роботі зроблено спробу за допомогою атомного силового мікроскопа проконтролювати виникнення порушень структури на поверхні кристалів GaP, підданих впливу різних видів радіації (швидкі електрони, протони та альфа-частинки). Виявлено, що на поверхні опромінених зразків виникають виступи конічної форми (nano-hills). Форма і розміри наноутворень залежать від маси і енергії частинок. Максимальна густина таких утворень спостерігається у зразках із високою концентрацію точкових дефектів (опромінення електронами). Формування специфічного рельєфу поверхні може бути обумовлене дифузією найпростіших порушень структури та їхнім накопиченням у приповерхневому шарі напівпровідника
Завантаження
Посилання
2. Medvid A. Redistribution of Point Defects in the Crystalline Lattice of a Semiconductors in an Inhomogeneous Temperature Field / A. Medvid // Defect and Diffusion Forum. Sciences Publications, Switzerland .– 2002. – Vol.210-212. – P.89-102.
3. Medvid A. Nanostructure Formation on a Surface of 6H-SiC by Laser Radiation / A. Medvid, L. Fedorenko, P. Lytvin, N. Yusupov // Materials Science Forum. Trans. Tech. Publications, Switzerland. – 2003. – Vol.433-436. – P.595-598.
4. Дядыкин А.А. Полевая электронная эмиссия из Ge – Si наноструктур с квантовыми точками / А.А. Дядыкин, Ю.Н. Козырев, А.Г. Наумовец // Письма в ЖЭТФ. – 2002. – Т.76, В.7. – С.550 –552.
5. Карпович И.А. Квантово-размерные гетеронаноструктуры на основе GaAs. / И.А. Карпович // Труды 1-го совещания по проекту НАТО SfP–973799 Semiconductors. Нижний Новгород. – 2001. – С.48-62.
6. Кудин А.П. Особенности поглощения света монокристаллами GaP, облученными частицами больших энергий / А.П. Кудин, В.С. Манжара, В.П. Тартачник // УФЖ. – 1985. – Т.30, №.7. – С.986 –990.
7. Geist V. The Kossel Effect and its Application. In Diffraction of Characteristic X-Rays Excited in the Irradiated Crystals / V. Geist, C. Ascheron // www.uni-leipzig.de/~minkrist/pdf/IMKM.
8. Немец О.Ф. Радиационные нарушения в фосфиде галлия, облученном α-частицами и електронами / О.Ф. Немец, Н.Е. Григорян, П.Г. Литовченко [и др.] // ДАН УССР. – 1988. В. – 9. – С.54 –56.
.png)
