THE CONTROL OF TEMPERATURE REGIME OF ELECTRON RADIATION BEZTYHELNA ZONE MELTING OF SILICON
Keywords:
control, temperature control, silicon, beztyhelna zone melting temperature, vacuum chamber, svitloelektrychnyy converter.Abstract
Justified new method to compensate for systematic errors in measuring the temperature of the surface caused by reflected radiation zone melting electrode. The algorithm experimental evaluation of the excess surface temperature of the liquid phase on the melting point of silicon. The experimental curves obtained brightness distribution along the vertical axis of the crystal together consecutive shots.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Пфанн В. Зонная плавка. – М.:Мир, 1970.— 366 с.
2. Ранцевич В.Б. Пирометрия при посторонних источниках излучения.—Мн.: Наука и техника, 1989.— 104 с.
3. Porev V., Kulikova O. The Mathematical Simulation for the Temperature Fields Research // Proceedings of fourth Ukraine-Russia-China Symposium on Space Science and Technology.—Kyiv : NSAU.—1996.—P.788-790.
4. Ранцевич В.Б. Радиационная, яркостная и цветовая температура с учётом отражённого фонового излучения и других факторов при измерениях и градуировке пирометров // Метрология.—1983.—№3.
5. Порев В.А. Компенсация излучения электрода при исследовании температурного поля зоны плавки // Техническая диагностика и неразрушающий контроль.—2001.—№4.—С.55-56.
6. Патент 38844A, Україна, МКИ G01J3/00. Спосіб компенсації впливу випромінювання сторонніх джерел / В.А. Порєв, Г.В. Порєв (Україна); НТУУ “КПІ”—№2000116167; заявл. 01.11.2000, опубл. 15.05.2001, Бюл.№4.
2. Ранцевич В.Б. Пирометрия при посторонних источниках излучения.—Мн.: Наука и техника, 1989.— 104 с.
3. Porev V., Kulikova O. The Mathematical Simulation for the Temperature Fields Research // Proceedings of fourth Ukraine-Russia-China Symposium on Space Science and Technology.—Kyiv : NSAU.—1996.—P.788-790.
4. Ранцевич В.Б. Радиационная, яркостная и цветовая температура с учётом отражённого фонового излучения и других факторов при измерениях и градуировке пирометров // Метрология.—1983.—№3.
5. Порев В.А. Компенсация излучения электрода при исследовании температурного поля зоны плавки // Техническая диагностика и неразрушающий контроль.—2001.—№4.—С.55-56.
6. Патент 38844A, Україна, МКИ G01J3/00. Спосіб компенсації впливу випромінювання сторонніх джерел / В.А. Порєв, Г.В. Порєв (Україна); НТУУ “КПІ”—№2000116167; заявл. 01.11.2000, опубл. 15.05.2001, Бюл.№4.
Downloads
Published
2013-06-19
How to Cite
Порєв, В. А. (2013). THE CONTROL OF TEMPERATURE REGIME OF ELECTRON RADIATION BEZTYHELNA ZONE MELTING OF SILICON. METHODS AND DEVICES OF QUALITY CONTROL, (1(30), 108–113. Retrieved from https://mpky.nung.edu.ua/index.php/mpky/article/view/166
Issue
Section
METHODS AND DEVICES FOR THE TECHNOLOGICAL PARAMETERS CONNTROL
.png)
