INFORMATION TECHNOLOGY OF LIQUID PHASE OVERHEAT CONTROL AT SILICIUM ZONED MELTING PROCESS
Keywords:
zoned melting, evaluation, overheat.Abstract
The information technology of the evaluation along with the corresponding experimental results concerning the rise of the temperature of the liquid phase above the melting point of silicon, is substantiated. There are presented the experimental graphics of brightness distribution along the vertical axis of the crystal on the liquid surface in consecutive samples set. There are built the temperature distribution graphs according to the experimental graphics. There are grounded the analytical expression for the estimation of the maximum possible overheating of the liquid phase surface in the silicon melt and the resulting value DT = 60 K, which can be used as an upper estimate temperature overheating.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Мильвидский М.Г. Картавых А.В., Раков В.В. Выращивание монокристаллов из расплавов в условиях космического полёта // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования — 2001, № 9. — С.17-35.
2. Аснис Е.А., Демченко В.Ф., Лесной А.Б. и др. Математическое моделирование тепловых и гидродинамических процессов при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке монокристалла кремния в условиях микрогравитации // Тези доповіді Другої Української конференцій з перспективних космічних досліджень—Кацівелі: НКАУ.—2002.—С.115.
3. Шиллер З., Гайзиг У., Панцер З. Электронно-лучевая технология: Пер. с нем.—М.: Энергия, 1980.— 528 с.
4. Порев В.А. Контроль температурного поля зоны плавки // Дефектоскопия—2001, № 5—с.7-11.
5. Свет Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур—М.: Наука, 1982—296 с.
6. Allen F.G. Emissivity at 0.65 Micron of Silicon and Germanium at High Temperatures // Journal of Applied Optics.—1957.—№ 12— P. 1510-1511.
2. Аснис Е.А., Демченко В.Ф., Лесной А.Б. и др. Математическое моделирование тепловых и гидродинамических процессов при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке монокристалла кремния в условиях микрогравитации // Тези доповіді Другої Української конференцій з перспективних космічних досліджень—Кацівелі: НКАУ.—2002.—С.115.
3. Шиллер З., Гайзиг У., Панцер З. Электронно-лучевая технология: Пер. с нем.—М.: Энергия, 1980.— 528 с.
4. Порев В.А. Контроль температурного поля зоны плавки // Дефектоскопия—2001, № 5—с.7-11.
5. Свет Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур—М.: Наука, 1982—296 с.
6. Allen F.G. Emissivity at 0.65 Micron of Silicon and Germanium at High Temperatures // Journal of Applied Optics.—1957.—№ 12— P. 1510-1511.
Downloads
Published
2014-11-03
How to Cite
Порєв, Г. В. (2014). INFORMATION TECHNOLOGY OF LIQUID PHASE OVERHEAT CONTROL AT SILICIUM ZONED MELTING PROCESS. METHODS AND DEVICES OF QUALITY CONTROL, (2(33), 93–97. Retrieved from https://mpky.nung.edu.ua/index.php/mpky/article/view/235
Issue
Section
METHODS AND DEVICES FOR THE TECHNOLOGICAL PARAMETERS CONNTROL
.png)
